基于减薄工艺的大量程测量研究

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Abstract

碳化硅因其独特的材料特性和化学稳定性，已成为第三代半导体的代表性材料。然而，其最大减薄厚度可达传统硅材料减薄厚度的50倍，传统测量方式已难以满足相应的测量需求，因此亟需开发一种高精度、大量程的测量机构。本文介绍了超厚产品减薄过程中的测量原理与实现方法，重点研究了如何通过升降机构来扩展测量仪的量程。基于该结构设计的位移传感器，可实现0～50mm的测量范围，测量精度达±3μm。实验结果表明，该结构在超厚产品减薄工艺中具备良好的实时在线测量与加工性能，展现出广阔的应用前景。

Keywords

晶锭减薄

大量程测量仪

测量精度

References

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